[发明专利]电子封装用石墨-钼铜复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201711330530.2 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN107955890A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 刘骞;贺劭琪;何泽贤;赵轩;何寅 | 申请(专利权)人: | 湖南科技大学 |
主分类号: | C22C1/10 | 分类号: | C22C1/10;C22C32/00;C22C9/00;H01L23/29 |
代理公司: | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙)43108 | 代理人: | 冷玉萍 |
地址: | 411201 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开一种电子封装用石墨‑钼铜复合材料及其制备方法。该复合材料主要由石墨鳞片、金属钼和金属铜或铜合金三相组成。其制备过程包括多孔预制坯与真空压力熔渗两步。在多孔预制坯阶段,利用金属钼充当支撑隔离相与石墨鳞片表面碳化钼改性的钼源,通过盐浴镀技术在多孔预制坯阶段完成了对石墨鳞片表面镀覆改性,随后采用真空压力熔渗对坯体进行渗铜,使金属铜填满多空预制坯的间隙,最终得到致密的石墨鳞片‑钼铜复合材料。本发明的材料具有高导热、低膨胀、力学性能良好等多项优点,在电子封装领域具有很大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 电子 封装 石墨 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种电子封装用石墨‑钼铜复合材料,其特征在于,由石墨鳞片、钼、铜或铜合金三相构成,其中石墨鳞片占复合材料的体积百分比为10~58%,并在垂直加压的X‑Y平面上呈平行分布,金属钼、铜或铜合金分布于石墨片层的间隙,钼占钼铜金属的质量百分比为40~85%。
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