[发明专利]用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔有效
| 申请号： | 201711321298.6 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231737B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | J·M·萨夫兰;J·N·恩杜马洛;刘觉;S·罗森布拉特;C·科桑达拉曼 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔，其涉及半导体结构，并且特别涉及具有改良型衬底接触的贯穿硅通孔(TSV)结构及制造方法。该结构包括：第一掺杂类型的衬底；位在该衬底上的一层不同掺杂类型；贯穿该衬底所形成、并包含绝缘体侧壁及导电填充材料的贯穿衬底通孔；相邻该贯穿衬底通孔的第二掺杂类型；与该层不同掺杂类型电接触的第一接触；以及与该贯穿衬底通孔的该导电填充材料电接触的第二接触。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 硅通孔 电容 变异性 具有 改良 衬底 接触 | ||
【主权项】：
1.一种结构，其特征为，该结构包含：第一物种类型的衬底；一层不同物种类型，位在该衬底上；贯穿衬底通孔，贯穿该衬底所形成、并包含绝缘体侧壁及导电填充材料；第二物种类型，相邻该贯穿衬底通孔；第一接触，与该层不同物种类型电接触；以及第二接触，与该贯穿衬底通孔的该导电填充材料电接触。
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