[发明专利]一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法

摘要

本发明公开了一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，主要包括以下步骤：(1)处理SOI片：在SOI片的器件层上制作驱动电容极板和封装凸点，采用深硅刻蚀工艺加工刻蚀槽直至SOI片的牺牲层，完成硅基检验质量块和弹簧的一体化加工；在支撑层上制作掩膜，采用深硅刻蚀工艺制作释放孔结构直至SOI片的牺牲层；通过释放孔刻蚀SOI片的牺牲层，使可活动的部件被释放；(2)制作盖板；(3)将SOI片与盖板两者进行对准封装，形成MEMS惯性传感器。本发明通过对关键器件层、支撑层的选取，以及对电容位移检测方式进行改进，与现有技术相比能够有效制作大检验质量块和较高的电容位移检测精度、解决MEMS惯性传感器精度不高的问题。

主权项

一种利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)处理SOI片：在该SOI片的器件层上制作掩膜图形，通过金属刻蚀法或者金属剥离法完成驱动电容极板和封装凸点的制作；制作弹簧和检验质量块的掩膜图形，采用深硅刻蚀工艺加工，使无掩膜区域形成刻蚀槽直至SOI片的牺牲层暴露；在该SOI片的支撑层上制作释放孔掩膜图形，通过深硅刻蚀工艺刻蚀该支撑层的无掩膜区域至该SOI片的牺牲层，使该牺牲层暴露；采用氢氟酸或者反应离子刻蚀机刻蚀该SOI片的牺牲层，使暴露的牺牲层区域被刻蚀，从而在该SOI片的器件层内形成弹簧和检验质量块，由此构成弹簧‑质量块系统，并且所述驱动电容极板位于所述检验质量块上；(2)在盖板上制作金属图形，包括拾取电容极板、封装凸点和引线键合点；(3)将所述步骤(1)得到的所述SOI片与所述步骤(2)得到的所述盖板两者进行对准封装，从而形成MEMS惯性传感器。