[发明专利]隔离金属化特征的气隙有效
| 申请号： | 201711291093.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231739B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 哈·高明;孙志国;J·F·谢帕德·二世;M·M·蔡 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及隔离金属化特征的气隙，其揭示内容是有关于半导体结构，更特别的是，有关于隔离金属线的气隙及其制法。该结构包括：多条金属线，其形成于绝缘体层上；以及介电材料，其完全填充在该多条金属线的金属线之间具有第一尺寸的空间以及在该多条金属线的金属线之间具有第二尺寸的空间提供均匀气隙。该第一尺寸大于该第二尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 金属化 特征 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包含：多条金属线，其形成于绝缘体层上；以及介电材料，其完全填充在该多条金属线的金属线之间具有第一尺寸的空间以及在该多条金属线的金属线之间具有第二尺寸的空间提供均匀气隙，该第一尺寸大于该第二尺寸。
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