[发明专利]一种单晶硅的腐蚀液在审
| 申请号： | 201711278220.0 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108085748A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王世榕 | 申请（专利权）人： | 南通海鑫信息科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种单晶硅的腐蚀液，按质量份数计包括以下组分：0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。该单晶硅的腐蚀液适用于腐蚀单晶硅或二氧化硅衬底上的单晶硅和多晶硅层，该腐蚀液的腐蚀速率快，可减少处理过程中的毒性。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 腐蚀液 腐蚀 多晶硅层 二氟化氙 二氧化硅 去离子水 氟化铵 质量份 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的腐蚀液，其特征在于，按质量份数计包括以下组分：0.4份的二氟化氙、0.5份的氟化铵和100份的去离子水。
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