[发明专利]一种半导体激光器在审
| 申请号： | 201711272330.6 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109873298A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;肖成峰;李沛旭;孙素娟;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器，其非吸收窗口的制作步骤为：a)通过光刻技术在介质掩膜上形成周期性的掩膜沟槽；b)在介质掩膜上生长固态扩散膜，并在固态扩散膜上覆盖一层介质保护膜；c)将外延片置入扩散炉中进行高温扩散，扩散温度为500‑600℃；d)去除介质掩膜、固态扩散膜及介质保护膜。高温下，固态扩散膜中的Zn原子会扩散进入外延层，诱导量子阱附近的Al、Ga原子混杂，从而增加扩散区量子阱的带隙，形成非吸收窗口，使用固态扩锌形成非吸收窗口技术，提高腔面的抗烧毁能力，工艺更为稳定和均匀，而且安全性也更高。 | ||
| 搜索关键词： | 固态扩散 介质掩膜 非吸收 半导体激光器 介质保护膜 量子阱 扩散 窗口技术 高温扩散 光刻技术 扩散炉 扩散区 外延层 外延片 带隙 掩膜 置入 混杂 去除 烧毁 诱导 生长 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，该激光器的外延片结构自下而上依次包括：衬底(1)、下限制层(2)、下波导层(3)、量子阱(4)、上波导层(5)、上限制层(6)以及欧姆接触层(7)，该激光器芯片的两端分别设置有非吸收窗口(9)，该非吸收窗口(9)的制作步骤为：a)在半导体激光器外延片的上表面生长一层介质掩膜，通过光刻技术在介质掩膜上形成周期性的掩膜沟槽；b)在介质掩膜上生长含Zn的固态扩散膜，并在固态扩散膜上覆盖一层介质保护膜；c)将外延片置入扩散炉中进行高温扩散，扩散温度为500‑600℃；d)去除介质掩膜、固态扩散膜及介质保护膜。
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