[发明专利]一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711250227.1 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107742824B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;张继业;张星;宁永强;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，P型电极结构包括透明绝缘层、透明导电层以及网格电极。透明绝缘层和网格电极具有预设的图案结构，形成多个阵列排布的出光口。出光口的边缘区域可以通过相消干涉消除出光口边缘区域的高阶模，增大高阶模的损耗，而出光口的边缘区域对基模的损耗较小。方框的开口为通孔的中心区域，中心区域仅有一层透明导电层，中心区域的透明导电层直接与下方的P型DBR结构接触，电流通过网格电极下的透明导电层注入，增大了基模的增益，而对设定高阶模的增益较小。因此，可以实现高功率高稳定性的单模出射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射半导体激光器包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面以及第二表面；设置在所述第一表面N型DBR结构；位于所述N型DBR结构表面的有源层；位于所述有源层表面的P型DBR结构；位于所述P型DBR结构表面的P型电极结构；位于所述第二表面的N型电极结构；其中，所述P型电极结构包括：位于所述P型DBR结构表面的透明绝缘层，所述透明绝缘层包括多个点阵排布的方框，所述方框之间具有间隙；覆盖所述方框以及所述P型DBR结构表面的透明导电层；位于所述透明导电层表面的网格电极，所述网格电极的电极线形成多个与所述方框一一对应的出光口，一个通孔内设置有一个所述方框。
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