[发明专利]一种利用低压器件实现耐高压的高速IO电路有效
| 申请号： | 201711249090.8 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107786195B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 严智 | 申请（专利权）人： | 珠海亿智电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用1.8V耐压CMOS器件实现的耐5V高速IO电路，包括：耐压保护单元U1、ESD保护管M1与M2、ESD保护电阻R1与R2。所述IO电路在正常工作时，电路输入输出信号摆幅可以达到3.3V。该IO电路在PAD短接到5V的情况下，耐压保护单元能够保护M1与M2不会产生耐压问题，同时不会将电流引入到3.3V电源上，避免将3.3V电源拉高。IO电路的电容非常小，以保证该电路在GHz的频率上仍能保持正常工作。IO电路依然保持传统IO电路的ESD泄放路径，与传统的IO电路相比，本发明的电路利用1.8V耐压器件并能工作在3.3V电源电压下，具有一般IO所不具有的大摆幅、高速、耐高压性能，而且能够在28nm等缺乏3.3V耐压器件的先进工艺制程下实现，具有灵活广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 低压 器件 实现 高压 高速 io 电路 | ||
【主权项】：
一种利用1.8V耐压CMOS器件实现的耐5V高速IO电路，包括：耐压保护单元U1、ESD保护管M1与M2、ESD保护电阻R1与R2；具体的连接关系如下：耐压保护单元上端接M1的漏极，下端接M2的漏极，左端接高速接口内部电路，右端接PAD；ESD保护管M1的源极接电路电源vdd，漏极接耐压保护单元U1的上端，栅极连接到ESD保护电阻R1的一端；ESD保护管M2的源极接电路地gnd，漏极接耐压保护单元U1的下端，栅极连接到ESD保护电阻R2的一端；ESD保护电阻R1的一端连接到M1的栅极，而另外一端连接到电源电压vdd上；ESD保护电阻R2的一端连接到M2的栅极，而另外一端连接到地gnd上。
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