[发明专利]抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路在审
| 申请号： | 201711218764.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107833586A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 屈小钢;魏育成;尹韬;韦援丰 | 申请（专利权）人： | 中科亿海微电子科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路,包括传输单元，连接到输入端sel和输入端data；清零单元，连接到输入端clr；互锁存储单元，包括6个上MOS管以及6个下MOS管，其中，所述6个上MOS管与6个下MOS管组成6级互锁存储单元，每一级逐次以相同的方式相连，第6级再连接到第1级；所述互锁存储单元通过所述传输单元连接到输入端sel及输入端data，通过所述清零单元连接到输入端clr；每一级包括1个上MOS管和1个下MOS管，所述每一级的1个上MOS管和1个下MOS管的漏极D端连接，并连接到下一级上MOS管的栅极G端，以及上一级下MOS管的栅极G端。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 翻转 fpga 冗余 配置 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子翻转的FPGA三模冗余配置存储单元电路，包括：传输单元，包括：3个传输管：第一传输MOS管(113)、第二传输MOS管(114)和第三传输MOS管(115)，所述第一传输MOS管(113)、第二传输MOS管(114)和第三传输MOS管(115)连接到输入端sel，所述第一传输MOS管(113)、第二传输MOS管(114)和第三传输MOS管(115)连接到所述输入端data；清零单元，包括：3个清零管：第一清零MOS管(116)、第二清零MOS管(117)和第三清零MOS管(118)，所述第一清零MOS管(116)、第二清零MOS管(117)和第三清零MOS管(118)连接到输入端clr；互锁存储单元，包括：6个上MOS管：第一上MOS管(101)、第二上MOS管(103)、第三上MOS管(105)、第四上MOS管(107)、第五上MOS管(109)、第六上MOS管(111)，以及6个下MOS管：第一下MOS管(102)、第二下MOS管(104)、第三下MOS管(106)、第四下MOS管(108)、第五下MOS管(110)、第六下MOS管(112)；其中，所述第一上MOS管(101)、第二上MOS管(103)、第三上MOS管(105)、第四上MOS管(107)、第五上MOS管(109)、第六上MOS管(111)和第一下MOS管(102)、第二下MOS管(104)、第三下MOS管(106)、第四下MOS管(108)、第五下MOS管(110)、第六下MOS管(112)组成6级互锁存储单元，每一级逐次以相同的方式相连，第6级再连接到第1级；所述互锁存储单元通过所述传输单元连接到输入端sel及输入端data，通过所述清零单元连接到输入端clr；每一级包括1个上MOS管和1个下MOS管，所述每一级的1个上MOS管和1个下MOS管的漏极D端连接，并连接到下一级上MOS管的栅极G端，以及上一级下MOS管的栅极G端。
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