[发明专利]一种自对准双台面器件结构制作方法

摘要

本发明为一种自对准双台面器件结构制作方法，基于光刻胶回流工艺实现了一步光刻制备出双台面器件结构，且双台面中心自动对准；本发明的优点：省去了一步光刻，提升了流片效率，降低流片成本；大台面与小台面边沿间距可以小于1um，且边沿间距可以调节光刻胶回流工艺控制，特别适合高占空比的焦平面阵列制备。

主权项

1.一种自对准双台面器件结构制作方法，其特征在于：利用光刻胶回流工艺增大光刻图形尺寸，实现一步光刻制备出自对准双台面器件结构；所述制作方法，其具体步骤包括：步骤1，旋涂光刻胶，光刻后形成小台面光刻图形，图形直径Φ1；步骤2，利用光刻胶做掩膜，干法刻蚀形成小台面结构；步骤3，光刻胶高温回流，光刻胶软化熔融流动，自动覆盖小台面侧壁，图形直径增大为Φ2，Φ1＜Φ2；步骤4，二次干法刻蚀，形成大台面结构；步骤5，去除光刻胶，完成自对准双台面器件结构制备。