[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的形成方法，提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和与之相邻的第二区域，半导体衬底表面覆盖有层间介质层、贯穿第一区域上方层间介质层的第一伪栅、贯穿第二区域上方层间介质层的第二伪栅；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖层间介质层、第一伪栅和第二伪栅的顶部表面；形成覆盖硬掩膜层顶部表面的阻挡层，避免后续刻蚀硬掩膜层时，硬掩膜层中的元素进入光阻层；在阻挡层表面形成光阻层，光阻层暴露出第二区域上方的阻挡层；以光阻层为掩膜去除第二区域上方的阻挡层；去除光阻层；和以阻挡层为掩膜去除硬掩膜层。在硬掩膜层与光阻层之间形成阻挡层，避免了刻蚀硬掩膜层时，氮原子扩散进入光阻层中破坏其尺寸结构。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和与之相邻的第二区域，所述半导体衬底表面覆盖有层间介质层、贯穿所述第一区域上方所述层间介质层的第一伪栅、贯穿第二区域上方所述层间介质层的第二伪栅；形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述层间介质层、所述第一伪栅和所述第二伪栅的顶部表面；形成覆盖所述硬掩膜层顶部表面的阻挡层，避免后续刻蚀所述硬掩膜层时，所述硬掩膜层中的元素进入所述光阻层；在所述阻挡层表面形成光阻层，所述光阻层暴露出所述第二区域上方的所述阻挡层；以所述光阻层为掩膜去除所述第二区域上方的所述阻挡层；去除所述光阻层；和以所述阻挡层为掩膜去除所述硬掩膜层。