[发明专利]掩膜版及薄膜封装方法在审
| 申请号： | 201711208519.9 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108004521A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杜骁;陈永胜 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版，包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口。本发明通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口，使亚像素上的绑定区的线路可以得到薄膜的覆盖而得到保护，解决了现有技术所存在线路易损伤和断开而造成点灯良率低的问题。本发明还提供了一种薄膜封装方法。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 薄膜 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711208519.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
