[发明专利]一种在碳化硅基片上快速生长氧化层的方法有效
| 申请号： | 201711203679.4 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946180B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 何志 | 申请（专利权）人： | 北京品捷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京志霖律师事务所 11575 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 101302 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在碳化硅基片上快速生长氧化层的方法，该方法包括如下步骤：S1：在SiC基片(1)上选取待生长氧化层的区域；S2：通过离子注入的方式对所述待生长氧化层的区域注入氧离子(2)，形成氧离子注入层(3)；S3：将形成所述氧离子注入层(3)后的SiC基片(1)进行高温氧化处理，形成氧化层(4)，且所述氧化层(4)的氧化深度大于或等于所述氧离子注入层(3)的氧离子注入深度。本发明的方法可以将SiC的氧化速度有效提高一个数量级以上，并且可以通过改变氧离子注入条件实现对SiC氧化速度的人为调控，由此摆脱SiC不同晶面的氧化速度不同的制约，并改变和控制形成的氧化膜的性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基片上 快速 生长 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种在碳化硅基片上快速生长氧化层的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：在SiC基片(1)上选取待生长氧化层的区域；S2：通过离子注入的方式对所述待生长氧化层的区域注入氧离子(2)，形成氧离子注入层(3)；S3：将形成所述氧离子注入层(3)后的SiC基片(1)进行高温氧化处理，形成氧化层(4)，且所述氧化层(4)的氧化深度大于或等于所述氧离子注入层(3)的氧离子注入深度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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