[发明专利]一种超衍射极限纳米图形的制作方法有效
| 申请号： | 201711203590.8 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108037636B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张子旸;王旭;王美芳;刘永刚 | 申请（专利权）人： | 江苏点晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张汉钦 |
| 地址： | 226300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超衍射极限的纳米图形的制作方法，包括：在衬底上生长双层相变材料；在所述双层相变材料膜层上选择合适的步进进行激光直写；在所述样品上移动上述1/2步进后再次进行激光直写；将上层相变材料去除；对样品进行正胶显影或者负胶显影得到超越衍射极限的纳米图形。根据本发明的纳米图形的制作方法，首先利用上层相变材料与下层相变材料的阈值差异，造成上层与下层之间的相变区域的突变，减小了下层相变的体积，利用该突变制备超越衍射极限的纳米图形，其次材料对高能量激光的非线性吸收特性使作用于下层相变材料的激光能量分布更加集中，进而减小图形的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衍射 极限 纳米 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种超衍射极限纳米图形的制作方法，其特征在于，包括：1）在衬底上制备双层相变材料结构作为光刻胶；2）在所述双层相变材料结构光刻胶上进行多次光刻；3）将光刻后样品的双层相变材料结构上层的光刻胶去除；4）对去除上层光刻胶的样品进行显影，在所述衬底上获得超越衍射极限的图形的结构。
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