[发明专利]一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片

摘要

本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为Ga_xIn_(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。

主权项

1.一种提升LED性能的LED制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括衬底，和位于所述衬底上，沿背离所述衬底方向依次设置的缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；在所述半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，所述图形化欧姆接触层为Ga_xIn_(1‑x)N材质，其中x的取值范围为0.5‑1，包括0.5，不包括1；在所述图形化欧姆接触层以及所述第二型半导体层上形成电流扩展层，所述电流扩展层包括：ITO、IZO、IGO或ZnO；其中，所述电流扩展层与所述欧姆接触层的厚度总和小于或等于所述图形化欧姆接触层的横向电导率小于所述电流扩展层的横向电导率。