[发明专利]金属的生长工艺有效
| 申请号： | 201711184083.4 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107978520B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 许爱春;李远;彭浩;左明光;詹侃;唐浩;万先进;郁赛华 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及金属的生长工艺，包括以下步骤：在炉管内放入基体；将基体加热至沉积温度；在炉管内通入气态的六氟化钨和氢气，在基体上沉积得到钨薄膜；通过对炉管进行高温退火，实现对钨薄膜的高温退火。本发明通过在金属钨的生长工艺中加入高温退火步骤，降低了沉积形成的钨的电阻率和应力，进一步减小了整个器件的电阻和晶圆的弯曲。此外，对于三维存储器中的其他金属结构，本次创新性的退火工艺对其他结构制成具有重要的指导意义。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1.金属的生长工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n在炉管内放入基体；/n将基体加热至沉积温度；/n在炉管内通入气态的金属初始化合物和辅助气体，在基体上沉积得到金属薄膜；/n对金属薄膜进行高温退火；/n其中，金属为钨，初始化合物为六氟化钨，辅助气体为氢气，基体为包括硅衬底和堆叠结构的晶圆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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