[发明专利]一种低噪声降频器在审
| 申请号： | 201711163149.1 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107707202A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 姜永红 | 申请（专利权）人： | 中山市瀚扬电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/16 | 分类号： | H03D7/16;H04N5/50;H04N7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528467 广东省中山市坦洲镇裕*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低噪声降频器，包括信号接收模块、信号处理模块、降频器本体以及辅助组件，信号接收模块以及信号处理模块均焊接在电路板上，且电路板安装在降频器本体内部，辅助组件安装在降频器本体上，信号接收模块包括水平极化接收端、射频放大器一、射频放大器二、射频放大器三、射频放大器四以及垂直极化接收端，信号处理模块包括信号放大器一、信号放大器二、混频器一、IF放大器一、后级放大器二、IF放大器二、混频器二以及信号放大器三，辅助组件包括支杆一、连接杆以及支杆二，与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果达到了使用一个抛物天线接收两个波段信号的目的，还达到了减少了信号衰减的目的，且提高了降频器本体放置稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 降频器 | ||
【主权项】：
一种低噪声降频器，包括信号接收模块、信号处理模块、降频器本体以及辅助组件，其特征在于：所述信号接收模块以及信号处理模块均焊接在电路板上，且电路板安装在降频器本体内部，所述辅助组件安装在降频器本体上，所述信号接收模块包括水平极化接收端、射频放大器一、射频放大器二、射频放大器三、射频放大器四以及垂直极化接收端，所述信号处理模块包括信号放大器一、信号放大器二、混频器一、IF放大器一、后级放大器一、切换开关、信号输出端、后级放大器二、电源、IF放大器二、混频器二、信号放大器三以及信号放大器四，所述辅助组件包括支杆一、底板、滑槽、滑块、连接杆以及支杆二。
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- 本发明属于混频器技术领域，尤其涉及一种线性化混频器。线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述的驱动级包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态。本发明有益效果在于：利用了栅‑源寄生电容（Cgs）的存在很好的控制了Vgs电平的稳定，使Ron恒定，有效地提高了混频器的线性度，使混频后的信号变的更加精确。
- 一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路-201610330753.8
- 段宗明;吕伟;王晓东;马强;戴跃飞 - 中国电子科技集团公司第三十八研究所
- 2016-05-17 - 2019-03-19 - H03D7/16
- 一种增益随温度正斜率变化的CMOS正交混频器电路，它包括基于Gilbert单元的正交混频器电路主体结构、开关控制负反馈电路和温度自适应控制电路，开关控制负反馈电路与正交混频器电路主体结构连接，温度自适应控制电路与开关控制负反馈电路连接。本发明根据工作温度变化实时采样片上温度信息，通过温度自适应控制电路改变正交混频器源级负反馈的大小，从而改变正交混频器转换增益，工作温度升高时，温度自适应控制电路逐渐减小源级负反馈等效电阻的大小，在补偿电路等效跨导随温度升高而降低所引起的增益降低的基础上，进一步使得混频器增益随温度升高而增大，即增益随温度正斜率变化，从而有效补偿射频电路与系统中因工作温度升高而增益降低问题。
- 基于FPGA的可重置的数字成形及上变频装置-201610884461.9
- 宋艳军;王立民;尹曼;王薇;李文龙;李利军 - 中国电子科技集团公司第五十四研究所
- 2016-10-11 - 2019-03-15 - H03D7/16
- 本发明公开了基于FPGA的可重置的数字成形及上变频装置，包括成形系数控制模块、系数存储模块、成形控制模块、成形处理模块、频率存储模块、上变频控制模块和上变频模块。本发明首先由成形控制模块接收成形控制信号，同时上变频控制模块接收变频控制信号，成形控制模块控制系数存储模块和成形处理模块，之后成形系数控制模块接收成形系数信号、频率存储模块接收频率设置信号，随后接收数据信号，经过成形处理模块对其进行成形滤波处理，输出信号经过上变频模块对其进行上变频处理变成频带信号送出。本发明具有成形处理方式通用、频率设置灵活、资源利用率高和可移植性好等优点。特别适用于星间或星地各种不同数字成形、不同上变频处理使用。
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