[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法有效
| 申请号： | 201711156987.6 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108089992B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 崔昌玟;金东赞;李爱晶;崔茂林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了操作非易失性存储器装置的方法。在操作非易失性存储器装置的方法中，响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储器装置的方法，所述方法包括：响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块，其中，第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的多条内部字线；将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底；基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线，并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到所述多条内部字线。
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