[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201711156987.6 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108089992B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 崔昌玟;金东赞;李爱晶;崔茂林 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩明花
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 操作 非易失性存储器 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种操作非易失性存储器装置的方法,所述方法包括:

响应于擦除命令和地址,在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块,其中,第一子块包括与多条字线连接的存储器单元,所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的多条内部字线;

将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底;

基于施加到基底的擦除电压的电压电平,在正在对第一子块执行的擦除操作期间,将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线,并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到所述多条内部字线。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,在第一间隔期间,施加到基底的擦除电压的电压电平以恒定斜率增大,在紧接着第一间隔的第二间隔期间,施加到基底的擦除电压的电压电平保持在恒定电平处,

其中,第一擦除偏置条件包括在第一间隔期间将字线擦除电压施加到边界字线并在第一间隔中的第一时间点处使边界字线浮置,

其中,第二擦除偏置条件包括在第一间隔和第二间隔期间将字线擦除电压施加到所述多条内部字线。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,第一时间点对应于施加到基底的擦除电压的电压电平达到参考电压电平处的时间点。

4.根据权利要求2所述的方法,其中,擦除电压的电平大于字线擦除电压的电平,字线擦除电压是地电压或者大于地电压。

5.根据权利要求2所述的方法,其中,将字线擦除电压施加到所述多条内部字线直到第二间隔中的第二时间点为止,并使所述至少一条边界字线浮置直到第二间隔中的第二时间点为止。

6.根据权利要求5所述的方法,所述方法还包括:

在第二间隔期间使第一存储器块中除了第一子块之外的未选择的子块的字线浮置。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,在第一间隔期间,施加到基底的擦除电压的电压电平以恒定斜率增大,在紧接着第一间隔的第二间隔期间,施加到基底的擦除电压的电压电平保持在恒定电平处,

其中,第一擦除偏置条件包括:在第一间隔期间将字线擦除电压施加到所述至少一条边界字线;在第二间隔中的第一时间点处使所述至少一条边界字线浮置;在第二间隔中的第二时间点处切断擦除电压的施加,其中,第二时间点晚于第一时间点,

其中,第二擦除偏置条件包括:在第一间隔和第二间隔期间将字线擦除电压施加到所述多条内部字线;在第二间隔中的第二时间点处切断擦除电压的施加。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,将字线擦除电压施加到所述多条内部字线和所述至少一条边界字线直到第二间隔中的第一时间点为止。

9.根据权利要求7所述的方法,所述方法还包括:

在第一间隔和第二间隔期间使第一存储器块中除了第一子块之外的未选择的子块的字线浮置。

10.根据权利要求7所述的方法,其中,擦除与所述至少一条边界字线结合的存储器单元所用的第一擦除执行时间小于擦除与每条内部字线结合的存储器单元所用的第二擦除执行时间。

11.根据权利要求1所述的方法,其中:

第一存储器块包括多个单元串,

所述多个单元串中的每个单元串包括在垂直于基底的竖直方向上堆叠的多个存储器单元,

第一子块和第二子块在竖直方向上彼此相邻,

所述至少一条边界字线对应于与正常存储器单元结合的正常字线或与虚设存储器单元结合的虚设字线。

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