[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法

说明书

提供了操作非易失性存储器装置的方法。在操作非易失性存储器装置的方法中，响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。

本专利申请要求于2016年11月22日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2016-0155680号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

示例性实施例总体上涉及一种半导体存储器装置，更具体地，涉及操作非易失性存储器装置的方法。

背景技术

半导体存储器装置可以是易失性的或非易失性的。易失性半导体存储器装置以高速执行读取操作和写入操作，然而在断电时可能丢失存储在其中的内容。非易失性半导体存储器装置即使在断电时也会保留存储在其中的内容。非易失性存储器装置可以用于存储不论其是否通电都必须保存的内容。

闪存装置通常是非易失性半导体存储器装置。对于诸如计算机、蜂窝电话、PDA、数字相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪和打印机等的信息设备，闪存装置可以用作声音和图像数据存储介质。

最近，已经研究了具有以三维堆叠的存储器单元的半导体存储器装置以改善半导体存储器装置的集成度。然而，存储容量的增加会造成诸如由字线耦合引起的软擦除的各种问题。

发明内容

一些示例性实施例涉及提供一种能够提高擦除操作的可靠性的操作非易失性存储器装置的方法。

根据示例性实施例，在操作非易失性存储器装置的方法中，响应于擦除命令和地址，在包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中选择待擦除的第一子块。第一子块包括与多条字线连接的存储器单元，所述多条字线包括相邻于第二子块的至少一条边界字线和除了所述至少一条边界字线之外的内部字线。将擦除电压施加到形成有第一存储器块的基底。基于施加到基底的擦除电压的电压电平，在正在对第一子块执行的擦除操作期间，对将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线以及将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线进行不同地控制。

根据示例性实施例，在操作包括多个存储器单元的非易失性存储器装置的方法中，每个存储器单元存储多个位，所述方法包括执行编程操作和擦除操作。对包括多个子块的第一存储器块执行编程操作，每个子块包括与多条字线结合的存储器单元。执行编程操作的步骤包括：对与所述多条字线中的至少一条边界字线结合的第一存储器单元中的每个存储器单元中的p位数据进行编程，对与所述多条字线中除了所述至少一条边界字线之外的每条内部字线结合的第二存储器单元中的每个存储器单元中的q位数据进行编程。所述至少一条边界字线与另一子块相邻，p为等于或大于1的自然数，q为大于p的自然数。对包括第一子块和相邻于第一子块的第二子块的第一存储器块中的第一子块执行擦除操作。执行擦除操作的步骤包括：基于施加到形成有第一存储器块的基底的擦除电压的电压电平，将第一擦除偏置条件施加到所述至少一条边界字线，并将不同于第一擦除偏置条件的第二擦除偏置条件施加到内部字线。

根据示例性实施例，在操作包括存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法中，所述存储器单元阵列包括多个存储器块，每个存储器块包括多个子块，每个子块包括多个存储器单元，所述方法包括执行擦除操作。执行擦除操作的步骤包括：将擦除电压施加到设置有第一存储器块的基底，在第一时间间隔期间将小于擦除电压的字线擦除电压施加到第一子块的第一字线并且在比第一时间间隔长的第二时间间隔期间将字线擦除电压施加到第一子块的第二字线。