[发明专利]SiC晶片的生成方法

摘要

提供实现生产率提高的SiC晶片的生成方法。该SiC晶片的生成方法包括下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(50)的第一面(52)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(50)照射脉冲激光光线(LB)，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部(60)；剥离层形成工序，连续地形成改质部(60)，从改质部(60)起在c面各向同性地形成裂纹(62)，形成用于从SiC晶锭(50)将SiC晶片剥离的剥离层(64)；和晶片生成工序，以剥离层(64)为界面将SiC晶锭(50)的一部分剥离而生成SiC晶片(66)。

主权项

一种SiC晶片的生成方法，其从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，该单晶SiC晶锭具有c轴和与该c轴垂直的c面，该SiC晶片的生成方法具备下述工序：改质部形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC晶锭的端面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射脉冲激光光线，在c面上形成SiC分离成Si和C的改质部；剥离层形成工序，连续地形成该改质部，从该改质部起在c面各向同性地形成裂纹，形成用于从单晶SiC晶锭将SiC晶片剥离的剥离层；和SiC晶片生成工序，以该剥离层为界面将单晶SiC晶锭的一部分剥离而生成SiC晶片，在该剥离层形成工序中，将该改质部的直径设为D，将相邻的聚光点的间隔设为L时，在具有D>L的关系的区域形成裂纹，在不超过裂纹的宽度的范围对单晶SiC晶锭和聚光点相对地进行转位进给而连续地形成改质部，使裂纹与裂纹连结，形成该剥离层。