[发明专利]一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法有效
| 申请号： | 201711127716.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107831638B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 金乐群;王彩虹;廖剑锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。本发明所提供的检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，可以实时监控掩膜版和掩膜台接触面的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 掩膜版 掩膜台 接触面 污染 方法 | ||
【主权项】：
一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，其特征在于，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。
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