[发明专利]一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法及集成芯片

摘要

本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法，该方法包括：形成脊的步骤，形成隔离区的步骤，SiN填充隔离区的步骤，蒸发P、N型电极的步骤，合金的步骤，镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(LD‑MPD)集成的芯片。本发明制备的芯片具有光功率高，探测功率高，隔离效果好，耦合效率高，暗电流小的特点。

主权项

一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S100、生成一次性外延样品：在n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2)、InGaAlAs下分别限制层(3)、有源层(4)、InGaAlAs上分别限制层(5)、p‑InP腐蚀停止层(6)、p‑InGaAsP接触层(7)和p‑InP盖层(8)；S200、形成脊：在步骤S100中得到的外延样品表面沉积一层的SiO2，然后对外延样品依次进行光刻、刻蚀SiO2、湿法腐蚀，腐蚀到p‑InP腐蚀停止层(6)；S300、形成隔离区：基于步骤S200，在外延样品上沉淀SiO2，并通过光刻形成隔离区(9)，通过隔离区(9)将外延样品分为吸收区(13)和激光区(10)；S400、利用SiN填充隔离区：基于S300，在外延样品上沉淀SiN，通过光刻将隔离区(9)以外的SiN曝光，并通过RIE刻蚀将隔离区(9)以外的SiN刻蚀；S500、形成开孔：基于步骤S400，在外延样品上沉淀SiO2，并通过光刻在脊上形成开孔用于后期通电，再除去外沿样品上的SiO2；S600、蒸发P型电极：在步骤S500得到的外延样品表面生成SiO2，光刻形成P面金属图形，刻蚀吸收区(13)和激光区(10)的SiO2介质层，通过电子束蒸发P面金属图形，剥离，合金后得到带有P面金属的样品；S700、蒸发N型电极、合金：对步骤S600中得到的外延样品进行N型减薄，电子束蒸发N型电极，对外延样品进行合金；S800、镀膜步骤：将步骤S700中得到的外延样品沿解离面，解离成Bar条，对激光区出光面(11)和吸收区(13)所对应的面分别进行蒸镀光学增透膜和高反射膜，完成激光二极管与背光探测器集成。