[发明专利]一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构

摘要

本发明公开了一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、P阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管，所述重置晶体管、传输晶体管和PN光电二极管形成的区域被环状的像素单元隔离区包围，在所述P阱区和像素单元隔离区的下方设置环状硅区，所述环状硅区的内环面积大于所述PN光电二极管面积，环状硅区和像素单元隔离区不重叠且两者掺杂类型相反。本发明可以通过增加PNP结的NP部分的反向偏压，以增加耗尽区宽度，提高长波段的量子效率，且能够避免引入带间隧穿漏电。

主权项

1.一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，其特征在于，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管，所述阱区为所述重置晶体管的阱；所述重置晶体管、传输晶体管和PN光电二极管形成的区域被环状的像素单元隔离区包围，所述像素单元隔离区中紧邻所述重置晶体管的部分为浅沟槽隔离，在所述阱区和像素单元隔离区的下方设置环状硅区，其中，环状硅区的内环面积大于所述PN光电二极管面积，环状硅区和像素单元隔离区不重叠且两者掺杂类型相反。