[发明专利]一种柔性电子功能材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201711118044.4 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107993972A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 姜昱丞;王彬;赵润;刘国珍;高炬 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性电子功能材料及其制备方法。以硅片为衬底，在衬底上生长氧化层为牺牲层；采用化学或物理的方法，在牺牲层上生长功能性薄膜材料；将柔性衬底粘贴于功能性薄膜表面，再采用酸腐蚀方法将牺牲层腐蚀后，得到一种柔性电子功能材料。本发明针对现有的柔性电子功能材料制备工艺无法在高温条件下实现，以及某些功能材料不能制备成柔性器件的不足，采用先制备牺牲层，并在高温等苛刻条件下生长所需要的功能层，再利用腐蚀剥离的方法，得到一种既有良好的柔韧特性，又能具备所需功能的柔性电子材料，具有原材料价格低廉，制备工艺简单、环保的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 电子 功能 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性电子功能材料的制备方法，其特征在于：以硅片为衬底，在衬底上生长氧化层为牺牲层；采用化学或物理的方法，在牺牲层上生长功能性薄膜；将柔性衬底粘贴于功能性薄膜表面，再采用酸腐蚀方法将牺牲层腐蚀后，得到一种柔性电子功能材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
