[发明专利]基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器有效

专利信息
申请号: 201711111749.3 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107978870B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 章海锋;张浩;杨靖;刘佳轩 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 刘莎
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器,包括底层金属反射板,以及金属板上方的介质基板和固态等离子体谐振单元,固态等离子体由PIN单元组成的阵列实现,PIN单元之间有隔离层进行隔离,通过其两端加载的可编程逻辑阵列来控制激励PIN单元阵列,以便得到固态等离子体。固态等离子体谐振单元有两种工作状态,激励状态和未激励状态。该吸波器对于TE极化波有很好的吸收效果,并通过编程方式控制固态等离子体构成的谐振单元的激励区域不但能实现对不同谐振单元的激励,从而达到对吸波器高频段的高吸收率的保持和低频段吸收率逐步优化的动态调控的目的,而且该吸波器的工作频率在激励区域选择合适的情况下能够更高效的覆盖整个X波段。
搜索关键词: 基于 等离子体 材料 调控 窄带 吸波器
【主权项】:
基于等离子体超材料可调控的窄带吸波器,其特征在于,包括底层反射板,所述底层反射板上设置有介质基板,所述介质基板上设有由N个环形固态等离子体谐振单元构成的嵌套结构,且所述嵌套结构的内部设有一个三角形固态等离子体谐振单元;每个所述固态等离子体谐振单元分别连接一个等离子体激励源进行激励,每个所述等离子体激励源的通断通过编程控制逻辑阵列进行控制。
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