[发明专利]光刻套刻精度量测准确性的评估方法有效
| 申请号： | 201711102811.2 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN108089412B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 许箭;王艳云;陈巧丽 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻套刻精度量测准确性的评估方法，基于光刻曝光过程中机台的套刻精度补偿值做一系列的矩阵设计实验，并根据待评估套刻精度量测方法的量测结果与预设曝光的套刻精度补偿值作比较，从而获得相关性结果，根据相关性结果是否坐落在标准区间范围来评估套刻精度量测方法的准确性。本发明能够准确、简单、快速的评价光刻套刻精度量测方法的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 精度 准确性 评估 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻套刻精度量测准确性的评估方法，其特征在于：基于光刻曝光过程中机台的套刻精度补偿值做一系列的矩阵设计实验，并根据待评估套刻精度量测方法的量测结果与预设曝光的套刻精度补偿值作比较，从而获得相关性结果，根据相关性结果是否坐落在标准区间范围来评估套刻精度量测方法的准确性。
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