[发明专利]一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201711099094.2 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN107768478A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 阳军亮;夏华艳;张楚俊;童思超;王春花 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器,包括基底、钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩体相异质结纳米线光吸收层以及电极三部分。本发明的制备方法,包括以下步骤基底准备与清洗、处理;配制钙钛矿材料溶液;配制钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩混合材料前驱体溶液;使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩体相异质结纳米线,得到高质量光吸收层;采用蒸镀或印刷制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点,具有重要的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 矿体 相异 纳米 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器,其特征在于,所述光电探测器包括基底、钙钛矿材料与有机半导体材料2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩(C8BTBT)形成的体相异质结纳米线光吸收层以及电极层三部分;所述的基底为硬质基底或柔性基底,所述的硬质基底为玻璃、二氧化硅或石英,所述的柔性基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI);所述的钙钛矿材料为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbA3‑xBx、CH(NH2)2PbI3、CH(NH2)2PbCl3、CH(NH2)2PbBr3、CH(NH2)2PbA3‑xBx或Csy[CH(NH2)2]z[CH3NH3](1‑y‑z)A3‑xBx,其中A和B为I、Cl、Br中的一种,x在0和3之间,y在0和1之间,z在0和1之间;所述的体相异质结纳米线是指钙钛矿材料与有机半导体材料2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩形成的相互均匀分布、互穿网络状结构的纳米线阵列,纳米线的横向尺寸在50nm到800nm之间;所述的电极层为金、银、铝中的一种或几种,对称电极间形成光响应沟道长宽比在1:5到1:20之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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