[发明专利]一种射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法在审
| 申请号： | 201711093030.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107779834A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 高正源;李金峰;胡琳盛;安治国 | 申请（专利权）人： | 重庆交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 400074 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明属于铝膜制备技术领域，公开了一种射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法，包括使用磁控溅射镀膜机，采用铝靶作为溅射靶，使用显微载玻片作为基片，射频溅射方式制备铝膜；将基片放置进入真空舱之前用无水乙醇清洗20min，擦干后放在可转动的样品台上；调节靶基距为100mm，抽真空使溅射仪背底真空度达到5.0×10‑4Pa，通入纯度为99.999％的氩气，设置氩气流量为40sccm，温度为室温，溅射时间600s；调节负偏压、射频功率和工作气压三组工艺参数，利用正交试验讨论了这三种工艺参数对薄膜沉积速率的影响。本发明通过选定工艺参数，设计出沉积速率较高、膜层质量好、厚度较厚、晶粒细小的铝膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 磁控溅射 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法，其特征在于，所述射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法使用显微载玻片作为基片，射频溅射方式制备铝膜；负偏压20‑60V，射频功率100‑150W，工作气压0.7‑0.9Pa。
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