[发明专利]一种射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法在审
| 申请号： | 201711093030.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107779834A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 高正源;李金峰;胡琳盛;安治国 | 申请（专利权）人： | 重庆交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 | 代理人： | 赵红霞 |
| 地址： | 400074 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 磁控溅射 制备 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法，其特征在于，所述射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法使用显微载玻片作为基片，射频溅射方式制备铝膜；负偏压20-60V，射频功率100-150W，工作气压0.7-0.9Pa。
2.一种如权利要求1所述射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法的测量方法，其特征在于，所述测量方法利用场发射扫描电镜用于薄膜截面膜厚的测量，样品表面涂覆侵蚀剂，测量两块样品的总膜厚，再用单块样品的厚度与沉积时间的比值得出沉积速率；光学金相显微镜测量薄膜用于薄膜表面形貌观察；低角度X射线衍射仪用于确定涂层的物相结构，Cu靶、40kV、150mA；通过X射线衍射得到铝膜样品衍射峰的半高宽值和衍射角，求得薄膜的晶粒尺寸。
3.如权利要求2所述的的测量方法，其特征在于，所述薄膜的晶粒尺寸的计算公式：
D为铝膜的晶粒直径；k是实验仪器系数；λ是X射线波长；θ为衍射角；β为衍射峰半高宽值。
4.一种由权利要求1所述射频磁控溅射制备纳米铝膜的方法制备的纳米铝膜。
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