[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法，包括1）提供一半导体衬底；2）于半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层；3）于所述交替叠置的牺牲层及支撑层的上表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层具有多个开孔；4）在支撑层及牺牲层内形成电容孔；5）于电容孔内形成下电极层；6）去除牺牲层，支撑层保留在半导体衬底上；7）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层；8）于电容介质层的外表面形成上电极层；9）于上电极层的外表面形成上电极填充层，所述上电极填充层的材质包括硼掺杂锗硅。本发明可以降低形成工艺温度，从而降低热预算对电容介质层的影响；同时可以提高载流子移动速率，从而可以降低填充层的电阻值。

主权项

一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，所述电容器阵列结构的制造方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底；2)于所述半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层；3)于所述交替叠置的牺牲层及支撑层的上表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有多个开孔，用于定义电容孔的位置及形状；4)依据所述图形化掩膜层刻蚀所述支撑层及所述牺牲层，以在所述支撑层及所述牺牲层内形成电容孔；5)于所述电容孔内形成下电极层，所述支撑层连接所述下电极层；6)去除所述牺牲层，其中，所述支撑层保留在所述半导体衬底上；7)于所述下电极层的内表面及外表面形成电容介质层，其中，所述电容介质层覆盖所述下电极层；8)于所述电容介质层的外表面形成上电极层，其中所述上电极层覆盖所述电容介质层；及，9)于所述上电极层的外表面形成上电极填充层，其中，所述上电极填充层覆盖所述上电极层并填满所述上电极层之间的间隙，且所述上电极填充层的材质包含硼掺杂锗硅(B‑doped SiGe)。