[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201711064704.5 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108231734A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨士億;李明翰;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露是关于半导体结构，更精确是关于结合石墨烯阻障层的半导体内连接结构。本揭露提供使用自组装单层(self‑assembly monolayer,SAM)形成石墨烯阻障层于选择的表面的方法。SAM层可以选择性形成于介电表面上，并且退火形成薄石墨烯阻障层。石墨烯阻障层的厚度可以通过选择不同的SAM层的烷基来调整。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 阻障层 半导体结构 退火 烷基 内连接结构 选择性形成 自组装单层 半导体 电表 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一基材；一金属层形成于该基材之上；一介电层形成于该金属层之上；一开口形成于该介电层中，并暴露该介电层的一表面及该金属层的一部分；一石墨烯阻障层形成于该介电层的该表面上；以及一导电层形成于至少该开口的一部分，并与该金属层的该部分接触，其中至少该石墨烯阻障层的一部分位于该导电层及该介电层之间。
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