[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201711035734.3 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108231563A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 罗伊辰;林立德;黄玉莲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，包括形成栅极电极结构于半导体基板的第一区域之上，和通过使卤化物与氧气反应，选择性地形成覆盖栅极电极结构的氧化物层，以增加栅极电极结构的高度。卤化物可以是四氯化硅，而氧化物层可以是二氧化硅。栅极电极结构可以是虚设栅极电极，其在随后被移除，并且被另一个栅极电极结构取代。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电极结构 半导体装置 氧化物层 卤化物 半导体基板 第一区域 二氧化硅 四氯化硅 虚设栅极 氧气反应 电极 移除 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成一栅极电极结构于一半导体基板的一第一区域之上；以及通过使一卤化物与一氧气反应，选择性地形成覆盖该栅极电极结构的一氧化物层，以增加该栅极电极结构的一高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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