[发明专利]缺陷检测方法在审
申请号: | 201711027200.6 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107833841A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 许平康;方桂芹;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 徐文欣,吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种缺陷检测方法,包括对第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理,如果所述第二灰度信息与所述第一灰度信息不匹配,优化所述待测位置并重复所述第二图像获取步骤至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息匹配时,获取所述第二图像。所述比较处理能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像,从而能够防止由于测量误差导致所述第二图像中不具有所述待处理缺陷的图像。因此,所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种缺陷检测方法,其特征在于,包括:提供晶圆,所述晶圆包括检测面,所述检测面具有待处理缺陷;采用第一图像采集处理,获取所述检测面的第一图像,所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像,所述第一缺陷图像包括多个第一像素;获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息,所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值,各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应;获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置;在所述待测位置处进行第二图像采集处理,获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像,第二图像包括多个第二像素,所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数;获取所述第二图像的第二灰度信息,所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值,各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应;对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理,当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时,对所述待测位置进行优化,获取重置位置;在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤,直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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