[发明专利]缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缺陷检测方法。

背景技术

在制造晶圆的过程中，由于制造过程中难免使晶圆表面产生大量缺陷。为了保证晶圆的质量，需要对晶圆表面的缺陷进行检测。

现有的缺陷检测方法包括：通过缺陷检测机台对晶圆表面进行扫描，获取晶圆表面各个缺陷的位置坐标；根据各缺陷的位置坐标，通过扫描电镜(SEM)分别对各缺陷进行拍摄，获取各缺陷的图像。扫描电镜是一种检测晶圆表面缺陷的机台，具有很高的图像的分辨率，能够清晰反映缺陷的形貌。

然而，现有的缺陷检测方法的缺陷捕捉成功率较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种缺陷检测方法，能够提高缺陷捕捉成功率。

为解决上述问题，本发明提供一种缺陷检测方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待处理缺陷；采用第一图像采集处理，获取所述检测面的第一图像，所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像，所述第一缺陷图像包括多个第一像素；获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息，所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值，各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应；获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置；在所述待测位置处进行第二图像采集处理，获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像，第二图像包括多个第二像素，所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数；获取所述第二图像的第二灰度信息，所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值，各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应；对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时，对所述待测位置进行优化，获取重置位置；在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤，直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。

可选的，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过缺陷检测机台对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的第一图像。

可选的，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过扫描电镜对所述待测位置处的检测面进行拍摄，获取所述第二图像。

可选的，所述比较处理的步骤包括：进行对比处理，所述对比处理包括：在所述第二图像中获取对比区域，所述对比区域中第二像素与所述第一缺陷图像中第一像素的个数和分布相同；分别获取所述对比区域中各第二像素的灰度与相应第一缺陷图像中第一像素的灰度之间的比值；比较各个比值是否相同。

可选的，所述检测面具有多个缺陷，多个所述缺陷中具有所述待处理缺陷；所述第二图像中包括第二缺陷图像，所述第二缺陷图像与所述缺陷对应。

可选的，所述第二图像中包括一个第二缺陷图像时，获取对比区域的步骤包括：使所述对比区域包括所述第二缺陷图像。

可选的，所述第二图像中包括与多个缺陷对应的多个第二缺陷图像时，所述对比区域的个数与所述第二缺陷图像的个数相同；获取对比区域的步骤包括：使各对比区域分别包括一个第二缺陷图像；所述比较处理的步骤还包括：如果各比值存在差异，重复所述比较处理步骤。

可选的，所述晶圆中具有半导体器件。

可选的，获取所述待处理缺陷的待测位置的步骤包括：以所述晶圆中心为原点在所述检测面建立坐标系；所述待测位置包括所述待处理缺陷在所述坐标系下的坐标值。

可选的，优化所述待测位置的步骤包括：改变所述待测位置的坐标值。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的缺陷检测方法中，对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理。所述比较处理通过对第一灰度信息和第二灰度信息的比较，能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像，从而能够防止由于检测误差导致所述第二图像中不具有所述待处理缺陷的图像。因此，所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率。

附图说明

图1是本发明的缺陷检测方法一实施例各步骤的流程图；

图2至图5是本发明的缺陷检测方法一实施例各步骤的结构示意图。

具体实施方式

缺陷检测方法具有诸多问题，例如缺陷捕捉成功率较低。

现结合一种缺陷检测方法分析所述缺陷检测方法的缺陷捕捉成功率较低的原因：

所述缺陷检测方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有多个缺陷，所述多个缺陷中具有待处理缺陷；通过缺陷检测机台对检测面进行扫描，获取所述待处理缺陷的位置坐标；通过扫描电镜(SEM)对所述待处理缺陷的位置坐标处进行拍摄，获取缺陷图像。