[发明专利]缺陷检测方法在审
申请号: | 201711027200.6 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107833841A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 许平康;方桂芹;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 徐文欣,吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种缺陷检测方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆包括检测面,所述检测面具有待处理缺陷;
采用第一图像采集处理,获取所述检测面的第一图像,所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像,所述第一缺陷图像包括多个第一像素;
获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息,所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值,各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应;
获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置;
在所述待测位置处进行第二图像采集处理,获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像,第二图像包括多个第二像素,所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数;
获取所述第二图像的第二灰度信息,所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值,各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应;
对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理,当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时,对所述待测位置进行优化,获取重置位置;
在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤,直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。
2.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述第二图像采集处理的步骤包括:通过缺陷检测机台对所述检测面进行扫描,获取所述检测面的第一图像。
3.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述第二图像采集处理的步骤包括:通过扫描电镜对所述待测位置处的检测面进行拍摄,获取所述第二图像。
4.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述比较处理的步骤包括:进行对比处理,所述对比处理包括:在所述第二图像中获取对比区域,所述对比区域中第二像素与所述第一缺陷图像中第一像素的个数和分布相同;分别获取所述对比区域中各第二像素的灰度与相应第一缺陷图像中第一像素的灰度之间的比值;比较各个比值是否相同。
5.如权利要求4所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述检测面具有多个缺陷,多个所述缺陷中具有所述待处理缺陷;所述第二图像中包括第二缺陷图像,所述第二缺陷图像与所述缺陷对应。
6.如权利要求5所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述第二图像中包括一个第二缺陷图像时,获取对比区域的步骤包括:使所述对比区域包括所述第二缺陷图像。
7.如权利要求5所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述第二图像中包括与多个缺陷对应的多个第二缺陷图像时,所述对比区域的个数与所述第二缺陷图像的个数相同;获取对比区域的步骤包括:使各对比区域分别包括一个第二缺陷图像;所述比较处理的步骤还包括:如果各比值存在差异,重复所述比较处理步骤。
8.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,所述晶圆中具有半导体器件。
9.如权利要求1所述的缺陷检测方法,其特征在于,获取所述待处理缺陷的待测位置的步骤包括:以所述晶圆中心为原点在所述检测面建立坐标系;
所述待测位置包括所述待处理缺陷在所述坐标系下的坐标值。
10.如权利要求9所述的缺陷检测方法,其特征在于,优化所述待测位置的步骤包括:改变所述待测位置的坐标值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造