[发明专利]一种高性能基准电压源

摘要

本发明公开了一种高性能基准电压源及其实现方法，基准电压源包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I₀；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；镜像恒流源，用于为正温度系数PTAT电流产生电路提供电流I₀并将电流向电流电压转换电路输出；电流电压转换电路，用于将正温度系数的电流I₀转换为正温度系数的电压；负温度系数CTAT电压产生电路，用于将正温度系数PTAT电流产生电路的三极管的基极发射极电压按比例产生一负温度系数电压并输出，以使所述正温度系数的电压的基准抬高从而在所述电流电压转换电路的上端获得所述正温度系数的电压与负温度系数电压之和的基准电压。

主权项

1.一种高性能基准电压源，包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I₀；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；镜像恒流源，用于为所述正温度系数PTAT电流产生电路提供电流I₀并将该电流向电流电压转换电路输出；电流电压转换电路，用于将所述正温度系数的电流I₀转换为正温度系数的电压；负温度系数CTAT电压产生电路，用于将所述正温度系数PTAT电流产生电路的一三极管的基极发射极电压按比例产生一负温度系数电压并输出，以使所述电流电压转换电路产生的正温度系数PTAT的电压的基准抬高从而在所述电流电压转换电路的上端获得所述正温度系数的电压与负温度系数电压之和的基准电压，所述负温度系数CTAT电压产生电路包括第二运放、第三运放以及M个串联且二极管连接的PMOS管，所述第二运放的输出端与其反相输入端与二极管连接的PMOS管BPM(1)的源极相连，二极管连接的PMOS管BPM(1)的栅极和漏极连接至二极管连接的PMOS管BPM(2)的源极，……以此类推，二极管连接的PMOS管BPM(M‑2)的栅极和漏极连接至二极管连接的PMOS管BPM(M‑1)的源极，二极管连接的PMOS管BPM(M‑1)的栅极和漏极连接至二极管连接的PMOS管BPM(M)的源极，二极管连接的PMOS管BPM(M)的栅极和漏极接地，二极管连接的PMOS管BPM(M‑1)的栅极和漏极还连接至所述第三运放的同相输入端，所述第三运放的输出端与其反相输入端和所述电流电压转换电路相连。