[发明专利]一种背照式CMOS图像传感器像素单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器像素单元及其制作方法，该像素单元从下而上依次包括含有光电二极管的衬底、第一介质层、电荷存储层、第二介质层和金属层，还包括贯穿所述第一介质层、电荷存储层和第二介质层，且侧壁与衬底垂直的接地窗口，所述接地窗口在垂直方向上不与衬底中的光电二极管重合，所述金属层覆盖所述接地窗口和第二介质层表面，所述电荷存储层与接地窗口之间填充侧壁隔离区，确保所述电荷存储层不与接地窗口中的金属层直接接触。本发明提供的一种背照式CMOS图像传感器像素单元能够防止金属层和电荷存储层直接接触，从而避免接地金属层中的电荷和电荷存储层中电荷发生中和。

主权项

一种背照式CMOS图像传感器像素单元，其特征在于，从下而上依次包括含有光电二极管的衬底、第一介质层、电荷存储层、第二介质层和金属层，还包括贯穿所述第一介质层、电荷存储层和第二介质层，且侧壁与衬底垂直的接地窗口，所述接地窗口在垂直方向上不与衬底中的光电二极管重合，所述金属层覆盖所述接地窗口和第二介质层表面，所述电荷存储层与接地窗口之间填充侧壁隔离区，确保所述电荷存储层不与接地窗口中的金属层直接接触。