[发明专利]一种红黄光发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种红黄光发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。芯片包括N型反射层，N型反射层满足分布布拉格反射镜的反射原理，N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在基板上的正投影重合，且N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在基板上的正投影小于N型电流扩展层在基板上的正投影。则粗化反射层能够反射N型电极下方部分光子，反射后的部分光子再经过金属反射层反射至N型电流扩展层的未被N型电极遮挡的区域或LED芯片的侧面，此时光子即可从未被N型电极遮挡的区域或LED芯片的侧面出光，从而增加了发光二极管的出光效率。

主权项

一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括依次层叠的P型电极、基板、金属反射层、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型反射层、N型欧姆接触层，N型电极，所述N型反射层为超晶格结构，所述超晶格结构包括第一子层和第二子层，所述第一子层为(AlxGa1‑x)0.5In0.5P层，0.8≤x≤1，所述第一子层的厚度为50～60nm，所述第二子层为(AlyGa1‑y)0.5In0.5P层，0.4≤y≤0.6，所述第二子层的厚度为55～65nm，所述第一子层的折射率比所述第二子层的折射率小0.1～0.2；所述N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在所述基板上的正投影重合，且所述N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在所述基板上的正投影小于所述N型电流扩展层在所述基板上的正投影。