[发明专利]KDP类晶体长籽晶限制生长方法有效
| 申请号： | 201710987729.6 | 申请日： | 2017-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107805844B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;陈端阳;邵建达;谢晓义 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/08 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种KDP类晶体长籽晶限制生长方法，本发明方法的长籽晶上端和下端分别受到上挡板和下托盘的限制，因而锥面的生长受到抑制，只有[100]和[010]两个方向的四个柱面能够生长。最终长成的晶体不含严重制约元件质量的柱锥交界面，所有切割出来的光学元件都具有很高的光学质量。由于生长过程是四个生长环境高度相似的柱面同时生长，所以切割出来的光学元件都具有很高的光学均匀性。由于KDP类晶体三倍频元件切割角度的独特性，用本发明长成的晶体切割三倍频元件时具有很高的切割效率，而且还可以通过长成的晶体水平尺寸的大小提前知晓能够切割出来的最大的三倍频元件的面积。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 籽晶 限制 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710987729.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环氧树脂/三聚磷酸钙钠复合微球及其制备方法
- 下一篇：径向毛细管流变仪
