[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710984749.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108091736B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;黄龙杰;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、第二电子阻挡层、多量子阱层、第一电子阻挡层和P型氮化镓层，第二电子阻挡层包括交替层叠的多个第一子层和多个第二子层，各个第一子层为未掺杂的铟镓氮层，多个第二子层中最靠近多量子阱层的第二子层为第一铝镓氮层，第一铝镓氮层为未掺杂的铝镓氮层，多个第二子层中除最靠近多量子阱层的第二子层之外的各个第二子层为第二铝镓氮层，第二铝镓氮层为P型掺杂的铝镓氮层，各个第二铝镓氮层中P型掺杂剂的掺杂浓度小于P型氮化镓层中P型掺杂剂的掺杂浓度。本发明可提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 铝镓氮层 电子阻挡层 多量子阱层 发光二极管外延 未掺杂 掺杂 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 发光效率 交替层叠 铟镓氮层 缓冲层 外延片 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、第一电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述N型氮化镓层和所述多量子阱层之间的第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层包括多个第一子层和多个第二子层，所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠设置；所述多个第一子层中各个第一子层为未掺杂的铟镓氮层，所述多个第二子层中最靠近所述多量子阱层的第二子层为第一铝镓氮层，所述第一铝镓氮层为未掺杂的铝镓氮层，所述多个第二子层中除最靠近所述多量子阱层的第二子层之外的各个第二子层为第二铝镓氮层，所述第二铝镓氮层为P型掺杂的铝镓氮层，各个所述第二铝镓氮层中P型掺杂剂的掺杂浓度小于所述P型氮化镓层中P型掺杂剂的掺杂浓度。
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