[发明专利]一种LED外延生长的方法

摘要

本发明公开了一种LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长In_xGa_1‑xN:Si/Al_yGa_1‑yN:Si超晶格结构，降温冷却；其中：生长In_xGa_1‑xN:Si/Al_yGa_1‑yN:Si超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的In_xGa_1‑xN:Si；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的Al_yGa_1‑yN:Si；交替生长In_xGa_1‑xN:Si和Al_yGa_1‑yN:Si，周期数为1‑10。通过In_xGa_1‑xN:Si/Al_yGa_1‑yN:Si超晶格结构材料来调整与AZO薄膜材料的势垒高度差，降低了接触电阻，从而减小了LED芯片的工作电压，提高了亮度。

主权项

1.一种LED外延生长的方法，其特征在于，包括：处理衬底，具体为：以蓝宝石作为衬底，清洁所述衬底表面，调节温度为1050℃‑1150℃，在氢气气氛里进行退火；生长低温GaN成核层，具体为：调节生长温度为500℃‑620℃，调节生长压力为400Torr‑650Torr，通入NH₃和TMGa，在所述衬底上生长厚度为20nm‑40nm的低温GaN成核层；生长高温GaN缓冲层，具体为：停止通入TMGa，调节温度至1000℃‑1100℃，进行原位退火，退火时间为5min‑10min，所述原位退火后，调节温度至900℃‑1050℃，通入TMGa，调节生长压力为400Torr‑650Torr，生长厚度为0.2μm‑1um的高温GaN缓冲层；生长非掺杂u‑GaN层；生长N型GaN层；生长量子阱层；生长电子阻挡层；生长高温P型GaN层；生长In_xGa_1‑xN:Si/Al_yGa_1‑yN:Si超晶格结构，具体为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的In_xGa_1‑xN:Si，其中：Si掺杂浓度为10¹⁹atoms/cm^‑3‑10²²atoms/cm^‑3，x＝0.03‑0.3；调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的Al_yGa_1‑yN:Si，其中：Si掺杂浓度为10¹⁹atoms/cm^‑3‑10²²atoms/cm^‑3,y＝0.02‑0.3；交替生长所述In_xGa_1‑xN:Si和所述Al_yGa_1‑yN:Si，周期数为1‑10，其中：生长所述In_xGa_1‑xN:Si和所述Al_yGa_1‑yN:Si时，采用TEGa、TMIn和TMAl为MO源，采用SiH₄为Si源，采用NH₃为N源；降温冷却。