[发明专利]一种LED外延生长的方法

权利要求书

1.一种LED外延生长的方法，其特征在于，包括：

处理衬底，具体为：以蓝宝石作为衬底，清洁所述衬底表面，调节温度为1050℃-1150℃，在氢气气氛里进行退火；

生长低温GaN成核层，具体为：调节生长温度为500℃-620℃，调节生长压力为400Torr-650Torr，通入NH₃和TMGa，在所述衬底上生长厚度为20nm-40nm的低温GaN成核层；

生长高温GaN缓冲层，具体为：停止通入TMGa，调节温度至1000℃-1100℃，进行原位退火，退火时间为5min-10min，所述原位退火后，调节温度至900℃-1050℃，通入TMGa，调节生长压力为400Torr-650Torr，生长厚度为0.2μm-1um的高温GaN缓冲层；

生长非掺杂u-GaN层；

生长N型GaN层；

生长量子阱层；

生长电子阻挡层；

生长高温P型GaN层；

生长In_xGa_1-xN:Si/Al_yGa_1-yN:Si超晶格结构，具体为：

调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的In_xGa_1-xN:Si，其中：Si掺杂浓度为10¹⁹atoms/cm^-3-10²²atoms/cm^-3，x＝0.03-0.3；

调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的Al_yGa_1-yN:Si，其中：Si掺杂浓度为10¹⁹atoms/cm^-3-10²²atoms/cm^-3,y＝0.02-0.3；

交替生长所述In_xGa_1-xN:Si和所述Al_yGa_1-yN:Si，周期数为1-10，其中：生长所述In_xGa_1-xN:Si和所述Al_yGa_1-yN:Si时，采用TEGa、TMIn和TMAl为MO源，采用SiH₄为Si源，采用NH₃为N源；

降温冷却。

2.根据权利要求1所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述生长非掺杂u-GaN层，进一步为：

通入NH₃和TMGa，调节生长温度为1050℃-1200℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1μm-3μm的非掺杂u-GaN层。

3.根据权利要求1所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述生长N型GaN层，进一步为：

通入NH₃、TMGa和SiH₄，调节生长温度为1050℃-1200℃，调节生长压力为100Torr-600Torr，生长厚度为2μm-4μm的N型GaN层，所述N型GaN层中，Si掺杂浓度为8×10¹⁸atoms/cm^-3-2×10¹⁹atoms/cm^-3。