[发明专利]一种提高氮化硅薄膜均匀性技术

摘要

本发明提供一种提高氮化硅薄膜均匀性技术，将原有的升温恒温步骤改进为降温恒温步骤，硅片温度快速升温，减少漫长的升温步，缩短工艺循环时间，能够增加产量，恒温时间较长，硅片均匀性较好，改变不同温区设定值减少片内色差与返工数量，改善硅片表面外观，增加良率。

主权项

一种提高氮化硅薄膜均匀性技术，其特征在于：包括以下步骤：a、入炉：将装有洗磷抛光后硅片石墨舟放入PE镀膜设备的舟托上，然后以600cm/min速度从炉口匀速推至炉内，推入过程中同时向炉内冲入氮气，炉内初始温度为X+70℃；氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mbar，实际温度为X+40℃，时间为100±20；b、通入氮气：将石墨舟推送至炉内指定位置后，SiC桨以600cm/min的速度退回至炉外初始位置，关闭炉门，温度设定为X℃，通入氮气，且氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mbar，实际检测温度为X+10℃，时间为200±50s；c、降温：管式PECVD的电阻丝加热温度高于实际温度，根据热量传导，炉管内温度还会持续增加，为了让电阻丝加热停止，设定温度X‑30℃，时间为60±20s，实际检测温度X℃；d、恒温：温度设定为X℃，使石墨舟内硅片能够恒定，时间为60±20s；e、抽真空：将炉内氮气抽走，保持低压真空状态，压力为20mtorr，时间为100±20s；f、气密性检测：压力恒定为20mtorr，看压力是否变大，时间为60±20s；g、沉积：炉内温度为X℃，向炉内通入SiN4与NH3，并开放射频功率，完成硅片镀膜；h、抽真空：镀膜完成后，设定温度为X+70℃对炉内进行抽真空，抽真空的时间控制在100±50s内，使炉内的压强为20mtorr低压状态；实际温度为X+15℃；i、充氮气：温度设定为X+70℃，氮气流量为5000±500sccm，压强为10000mbar，实际检测温度为X+45℃，时间为200±50s；j、出炉：打开炉门，温度设定为X+70℃，承载石墨舟托以600±5mm/min的速度从炉内退出，在出炉过程中向炉内通入氮气，氮气流量为10000±1000sccm，实际检测温度X+60℃。