[发明专利]超低介电常数金属间介电层的形成方法有效
| 申请号： | 201710929998.7 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN108735712B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 施伯铮;周家政;李俊德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上，第一金属间介电层包含多个介电料材层，形成粘着层于第一金属间介电层上，形成超低介电常数介电层于粘着层上，形成保护层于超低介电常数介电层上，形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化以产生窗口，移除窗口下的层以产生开口，被移除的层包含保护层、超低介电常数介电层、粘着层和第一金属间介电层。在开口中形成金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 间介电层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低介电常数金属间介电层的形成方法，包括：形成一第一金属间介电层于一基底上，该第一金属间介电层包括多个介电材料层；形成一粘着层于该第一金属间介电层上；形成一超低介电常数介电层于该粘着层上；形成一保护层于该超低介电常数介电层上；形成一硬遮罩于该保护层上，且将该硬遮罩图案化以产生一窗口；移除该窗口下的层以产生一开口，其中该被移除的层包含该保护层、该超低介电常数介电层、该粘着层及该第一金属间介电层；以及形成一金属层于该开口内。
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