[发明专利]一种晶体管结构、存储单元、存储器阵列及其制备方法

摘要

本发明提供一种晶体管结构的制备方法，方法包括提供一具有隔离结构的硅衬底；于硅衬底中形成有源区域；以多次交替刻蚀的方式形成若干相互平行的凹槽结构，所述凹槽结构包括刻蚀有源区域和硅衬底形成的具有第一深度区间的第一凹槽，刻蚀隔离结构形成的具有第二深度区间的第二凹槽，且第一深度区间小于第二深度区间；于凹槽结构的内侧及底部形成阻挡层，并依次填充导电层和绝缘层，以形成凹槽栅极，硅衬底依循导电层位于第一凹槽内的底部轮廓提供一深度小于第二深度区间的弧形沟道鳍结构，有源区域的上表面于凹槽栅极两侧形成源极区和漏极区。通过本发明解决了现有存储器阵列因埋入式栅极字线长短不一而产生的短通道效应或驱动电流过小的问题。

主权项

一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1)提供一硅衬底，其中，所述硅衬底中形成有若干相互平行的隔离结构；2)于所述硅衬底中形成由所述隔离结构隔离的有源区域；3)以多次交替刻蚀的方式形成若干相互平行、且穿过所述有源区域和位于所述有源区域之间的所述隔离结构的凹槽结构，其中，所述凹槽结构包括刻蚀所述有源区域和所述硅衬底形成的具有第一深度区间的第一凹槽，及刻蚀所述隔离结构形成的具有第二深度区间的第二凹槽，且所述第一深度区间小于所述第二深度区间；以及4)于所述凹槽结构的内侧及底部形成阻挡层，并于所述凹槽结构内依次填充导电层和绝缘层，以形成凹槽栅极，所述硅衬底依循所述导电层位于所述第一凹槽内的底部轮廓提供一深度小于所述第二深度区间的弧形沟道鳍结构，其中，所述有源区域的上表面分别于所述凹槽栅极两侧形成源极区和漏极区。