[发明专利]晶圆退火处理设备及退火处理方法有效
| 申请号： | 201710890662.4 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107742612B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周颖;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆退火处理设备及退火方法，设备包括晶圆存放装置，用于存放待处理晶圆；预热装置，接收晶圆存放装置中的待处理晶圆并将其加热至第一温度；退火腔室，用于接收预热装置中的具有第一温度的待处理晶圆，并将其加热至退火温度以对待处理晶圆进行退火处理；降温装置，用于接收退火腔室中的具有退火温度的待处理晶圆，并将其降温至第二温度，以完成退火处理。通过上述方案，本发明提供的晶圆退火处理设备及方法，设置一个预热装置，缩短在退火腔室中加热的时间，大幅度提高产出；避免在退火腔室中加热时温差相对较大，导致加热灯泡的使用寿命短，更换以及维修频率较高的问题；可以提高晶圆受热均匀性，缓解晶圆处理过程中变形的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆退火处理设备，其特征在于，包括：晶圆存放装置，用于存放待处理晶圆；预热装置，用于接收所述晶圆存放装置中的所述待处理晶圆，并将其加热至第一温度；退火腔室，所述退火腔室用于接收所述预热装置中的具有所述第一温度的待处理晶圆，并将其加热至退火温度以对所述待处理晶圆进行退火处理，其中，所述第一温度低于所述退火温度；以及降温装置，用于接收所述退火腔室中的具有所述退火温度的待处理晶圆，并将其降温至第二温度，以完成对所述待处理晶圆的退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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