[发明专利]阻变存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710863654.0 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231116B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器装置及其制造方法，该阻变存储器装置包括：第一阻变存储器元件、第二阻变存储器元件以及存储器控制器。第一阻变存储器元件配置于芯片上。第二阻变存储器元件配置于相同的芯片上。存储器控制器配置于相同的芯片上。存储器控制器用以控制第一阻变存储器元件与第二阻变存储器元件的数据存取。第一阻变存储器元件的存取频率与第二阻变存储器元件存取频率不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：在一基板上形成多个起始层，其中所述多个起始层包括一介电层；在所述介电层中形成一第一阻变存储器堆叠以作为一第一阻变存储器元件；以及在所述介电层中形成一第二阻变存储器堆叠以作为一第二阻变存储器元件，其中所述第一阻变存储器元件的存取频率与所述第二阻变存储器元件的存取频率不同。
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