[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201710850475.3 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107706243B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，通过设置绝缘金属氧化物层后退火，使绝缘金属氧化物层中的金属离子掺杂至待形成源极接触区和待形成漏极接触区中形成源漏电极接触区，省去了离子植入P离子的过程，大幅度简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，依次设置在所述基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，源极和漏极；所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；所述源极接触区和所述漏极接触区分别掺杂有金属离子；所述源极穿过所述介电层与所述源极接触区相接形成欧姆接触，所述漏极穿过所述介电层与所述漏极接触区相接形成欧姆接触；所述金属离子包括Cu2+、Al3+、Mg2+、Zn2+和Ni2+中的至少一种。
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