[发明专利]具有虚置标准单元的集成电路有效
申请号: | 201710839608.7 | 申请日: | 2017-09-18 |
公开(公告)号: | CN109524394B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 许振贤;陈建孚;蔡承洋;王伟任;林肇尉;黄智宏;顾政宗;杨进盛 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/088 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种具有虚置标准单元的集成电路,包含:第一金属线以及第二金属线沿着一第一方向延伸;第一虚置栅极以及第二虚置栅极沿着一第二方向延伸;鳍状结构平行于该第一方向;栅极结构位于鳍状结构上且平行于第二方向;多组的短接触插栓与长接触插栓设置于两栅极结构,或是栅极结构与虚置栅极之间;掺质区与长接触插栓重叠;栅极接触插栓设置在栅极结构上;通孔插栓设置在长接触插栓上并与之电连接;金属层设置在通孔插栓上并与之电连接,包含第一金属线以及第二金属线。 | ||
搜索关键词: | 具有 标准 单元 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种具有虚置标准单元(standard filler cell)的集成电路,包含:第一金属线以及第二金属线,两者沿着一第一方向延伸;第一虚置栅极以及第二虚置栅极,沿着一第二方向延伸,其中该第一金属线、该第二金属线、该第一虚置栅极以及该第二虚置栅极包围的区域定义为一虚置单元区;多个鳍状结构,设置在该虚置单元区中,该多个鳍状结构平行于该第一方向;多个栅极结构,设置在该虚置单元区中,位于该第一虚置栅极与该第二虚置栅极之间且平行于该第二方向;多个短接触插栓以及多个长接触插栓,设置在该虚置单元区中,该多个短接触插栓与该多个长接触插栓设置于该两栅极结构,或是该栅极结构与该第一虚置栅极或该第二虚置栅极之间;掺质区,设置在该虚置单元区中,且与该多个长接触插栓部分重叠;栅极接触插栓,设置在该多个栅极结构上;多个通孔插栓,设置在该多个长接触插栓上并与之电连接;以及金属层,设置在该多个通孔插栓上并与之电连接,该第一金属层包含该第一金属线以及该第二金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的